RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
49
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
49
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link