RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
49
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
9.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2277
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link