RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2201
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link