RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2946
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link