RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1966
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link