RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
1966
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link