RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
48
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
23
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3356
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link