RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
53
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
53
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link