RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
53
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link