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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
53
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
53
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2310
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor FLGG45F-E8K3B 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
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