RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3086
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link