RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3086
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link