RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
36
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
36
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3009
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Mushkin 996902 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link