RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3009
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link