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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
36
Autour de 33% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
36
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3009
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
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Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9965426-405.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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