RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
11.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
50
Prędkość odczytu, GB/s
11.9
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.6
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1610
2326
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link