RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
32
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2895
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link