RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
61
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,670.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,529.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
517
3580
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link