RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
no data
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
, 1.20000005, CAS Supported:
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1988
3043
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Porównanie pamięci RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link