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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Comparez
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Note globale
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
31
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
7.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
no data
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
, 1.20000005, CAS Supported:
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
3043
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Comparaison des RAM
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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