Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

总分
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 31
    左右 10% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    16.9 left arrow 12.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.4 left arrow 7.5
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    28 left arrow 31
  • 读取速度,GB/s
    12.7 left arrow 16.9
  • 写入速度,GB/s
    7.5 left arrow 12.4
  • 内存带宽,mbps
    8500 left arrow no data
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow no data
  • 排名PassMark (越多越好)
    1988 left arrow 3043
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