Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 31
    Около 10% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.9 left arrow 12.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.4 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.7 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow no data
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1988 left arrow 3043
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения