RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
61
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,670.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,529.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
517
3849
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link