RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2143
3317
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link