RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
61
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,670.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
61
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,529.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,670.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
517
2808
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link