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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
61
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
1,670.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
61
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,529.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
1,670.4
12.6
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
517
2808
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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