RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,160.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,987.5
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,160.7
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
957
2481
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link