RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
57
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
23
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
3208
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link