RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
57
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
39
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2600
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link