RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
57
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
5.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
57
38
Prędkość odczytu, GB/s
6.8
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.5
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1244
2283
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link