RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
55
Wokół strony 56% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
9.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2402
2701
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston Kingston2GB800 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston HP687515-H66-MCN 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link