RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2880
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link