Kingston 9905471-076.A00LF 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Wynik ogólny

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Wynik ogólny

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Powody do rozważenia
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

13.9 11.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.4 6.1

Średnia wartość w badaniach

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 43

Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

43 30
Prędkość odczytu, GB/s

13.9 11.1
Prędkość zapisu, GB/s

8.4 6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps

10600 17000

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2322 1254

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Kingston HX424C15FB/16 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N 16GB

Avant Technology W642GU42J5213N 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB