RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
87
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2361
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link