RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 12.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    870.4 left arrow 9.4
    Średnia wartość w badaniach
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    31 left arrow 87
    Wokół strony -181% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 5300
    Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    87 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,155.6 left arrow 12.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    870.4 left arrow 9.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    417 left arrow 2361

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Pamięć RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Pamięć RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Pamięć RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Pamięć RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Pamięć RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Pamięć RAM
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Pamięć RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Pamięć RAM
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Pamięć RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Pamięć RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Pamięć RAM