RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
2487
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link