RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
38
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2277
2841
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ?????? 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link