RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
33
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
33
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3315
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link