RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
Kingston 9905702-010.A00G 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
5.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
77
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.1
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2792
1440
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link