RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Porównaj
Kingston 9965516-430.A00G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
25
Prędkość odczytu, GB/s
7.9
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.0
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1798
2104
Kingston 9965516-430.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link