RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Comparar
Kingston 9965516-430.A00G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Pontuação geral
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
37
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
7.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.4
7.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
37
25
Velocidade de leitura, GB/s
7.9
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.0
7.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1798
2104
Kingston 9965516-430.A00G 16GB Comparações de RAM
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link