RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
Kingston 9965516-430.A00G 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
7.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
7.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.9
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.0
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1798
2104
Kingston 9965516-430.A00G 16GB Сравнения RAM
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link