RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
50
Около -108% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1899
2925
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link