RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Porównaj
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Wynik ogólny
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2196
2600
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link