RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Porównaj
Kingston 9965662-016.A00G 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
39
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
18
Prędkość odczytu, GB/s
7.9
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3814
Kingston 9965662-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link