RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Porównaj
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
11.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
73
Prędkość odczytu, GB/s
11.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1936
1724
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5471-004.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link