RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
44
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,769.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,482.7
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,769.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2987
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link