RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,769.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,482.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
1,769.9
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
525
2987
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB Сравнения RAM
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link