RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Vergleichen Sie
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Gesamtnote
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
44
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,769.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,482.7
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,769.9
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2987
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5316-028.A00LF 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link