RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
75
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
3075
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link