RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
2,036.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2586
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link