RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Porównaj
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,036.1
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
75
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,986.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,036.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
714
2562
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link